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手把手教你優(yōu)化CMOS中和內(nèi)存相關(guān)的設(shè)置

我要評論 2010/06/29 12:21:15 來源:綠色資源網(wǎng) 編輯:綠色軟件站 [ ] 評論:0 點擊:451次

  CMOS中關(guān)于內(nèi)存的設(shè)置比較多,但不少選項是比較專業(yè)的,因此,如果設(shè)置后出現(xiàn)問題,請選擇“LOAD BIOS DEFAULTS”,恢復(fù)可靠的設(shè)置參數(shù)。下面逐條說明相關(guān)內(nèi)存設(shè)置。 

  Above 1MB Memory Test:設(shè)置開機自檢時是否檢測1M以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的BIOS中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌,電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加,開機時的大容量內(nèi)存自檢時間太長,今后,即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。

  Auto Configuration:設(shè)置為允許時,BIOS按照最佳狀態(tài)設(shè)置。BIOS可以自動設(shè)置內(nèi)存定時,因此會禁止一些對內(nèi)存設(shè)置的修改,建議選擇允許方式。

  Memory Test Tick Sound:是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩,可以關(guān)閉它們。 

  Memory Parity Error Check:設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代,已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強行進行奇偶校驗設(shè)置會使電腦無法開機。

   Cache Memory Controller:是否使用高速緩存。不在流行的Award BIOS中使用。

  Shadow RAM Option:設(shè)置系統(tǒng)BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規(guī)內(nèi)存中。可以加快速度,但也可能造成死機。

  Internal Cache Memory:是否使用CPU內(nèi)部緩存(一級緩存)??梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。

  External Cache Memory:是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)??梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現(xiàn),使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

  Concurrent Refresh:直譯是同時發(fā)生的刷新。設(shè)置CPU在對其它I/O操作時對內(nèi)存同時刷新,可以提高系統(tǒng)性能。

  DRAM Read Wait State:設(shè)置CPU從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

  DRAM Write Wait State:設(shè)置CPU向內(nèi)存寫數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比CPU慢時可以設(shè)置更多的等待。

  Slow Refresh:對質(zhì)量好的內(nèi)存,保持?jǐn)?shù)據(jù)的時間比較長,可以設(shè)置更長的時間周期,從而提高系統(tǒng)性能。

  Shadow Cachecable:把映射到常規(guī)內(nèi)存的BIOS ROM增加高速緩存,使性能更進一步。

  Page Mode:使內(nèi)存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。

  RAS Timeout Counter:使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內(nèi)存RAS周期,因此采用計數(shù)器來監(jiān)視RAS周期,一旦超過RAS周期,則將周期 自動復(fù)位為0。

  Memory Relocation:內(nèi)存重新定位。即將384的上位內(nèi)存(Upper Memory Block)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲到1MB以上的擴展內(nèi)存中。

  Memory Hole:有人稱作內(nèi)存孔洞。把內(nèi)存地址15MB-16MB的區(qū)域留給一些特殊的ISA擴展卡使用,可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設(shè)置成禁止,除非ISA擴展卡有專門的說明。

  DRMA Timing Setting:快頁內(nèi)存或EDO內(nèi)存速度設(shè)置,通常是60ns或70ns選擇,對10ns或更快的SDRAM內(nèi)存無效。

  Fast MA to RAS Delay:設(shè)置內(nèi)存地址(Memory Address)到內(nèi)存行地址觸發(fā)信號(RAS)之間的延遲時間。

  DRAM Write Brust Timing:CPU把數(shù)據(jù)寫如高速緩存后,再寫如內(nèi)存的延遲時間。

  Fast RAS To CAS Delay:行地址觸發(fā)信號到列地址觸發(fā)信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

  DRAM Lead-Off Timing:CPU讀/寫內(nèi)存前的時間。 

  DRAM Speculative Read:設(shè)置成允許時,讀內(nèi)存的時間比正常時間提前一個時間周期,可以提高系統(tǒng)性能。 

  DRAM Data Integrity Mode:選擇內(nèi)存校驗方式是Parity或ECC。

  Refresh RAS Assertion:設(shè)置內(nèi)存的行地址刷新時間周期,對質(zhì)量好的內(nèi)存可以延遲刷新,從而提高系統(tǒng)性能。

  RAS Recharge Period:內(nèi)存行地址信號預(yù)先充電所需要的時間。

  Fast EDO Path Select:設(shè)置選擇對EDO內(nèi)存讀/寫的快速途徑,可以提高系統(tǒng)性能。

  SDRAM RAS Latency:設(shè)置SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)到列地址觸發(fā)的時間延遲。

  SDRAM RAS Timing:設(shè)置系統(tǒng)對SDRAM內(nèi)存的行地址觸發(fā)時間,也即刷新時間。 

  Peer Concurrency:為提高系統(tǒng)并行,使CPU對高速緩存或內(nèi)存或PCI設(shè)備,或PCI的主控信號對PCI外圍設(shè)備等等操作同時進行。系統(tǒng)智能越高,同CPU并行的操作越多,性能提高越多。

關(guān)鍵詞:CMOS,內(nèi)存

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